Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMDXB950UPEZ
PMDXB950UPEZ

PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+8.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 265mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active.

Інші пропозиції PMDXB950UPEZ за ціною від 5.17 грн до 42.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPEZ Nexperia PMDXB950UPE-2938695.pdf MOSFETs PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.56 грн
16+20.08 грн
100+9.78 грн
1000+6.08 грн
5000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB950UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.42 грн
13+24.96 грн
50+18.09 грн
100+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPE-2938695.pdf
PMDXB950UPEZ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
13+26.56 грн
16+20.08 грн
100+9.78 грн
1000+6.08 грн
5000+5.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZ PMDXB950UPE.pdf
PMDXB950UPEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+42.42 грн
13+24.96 грн
50+18.09 грн
100+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.