
на замовлення 4209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 29.42 грн |
16+ | 22.16 грн |
100+ | 11.52 грн |
500+ | 10.69 грн |
1000+ | 8.36 грн |
3000+ | 7.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG120G10ELR-QX Nexperia
Description: DIODE SIGE 120V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 12 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMEG120G10ELR-QX за ціною від 8.17 грн до 35.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMEG120G10ELR-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 120V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 12 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
PMEG120G10ELR-QX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
PMEG120G10ELR-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 120V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 12 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |