Продукція > NEXPERIA > PMEG120G10ELRX

PMEG120G10ELRX NEXPERIA


pmeg120g10elr.pdf Виробник: NEXPERIA
Diode Switching SiGe 1.4A 2-Pin CFP3 T/R
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMEG120G10ELRX NEXPERIA

Description: DIODE SIGE 120V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 12 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V.

Інші пропозиції PMEG120G10ELRX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMEG120G10ELRX PMEG120G10ELRX Виробник : NEXPERIA PMEG120G10ELR.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 120V; 1A; 12ns; SOD123W; Ufmax: 0.77V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 120V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 12ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe)
Case: SOD123W
Max. forward voltage: 0.77V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 30nA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG120G10ELRX PMEG120G10ELRX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 120V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG120G10ELRX PMEG120G10ELRX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 120V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 12 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 36pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG120G10ELRX PMEG120G10ELRX Виробник : Nexperia PMEG120G10ELR-1799660.pdf Rectifiers PMEG120G10ELR/SOD123W/SOD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG120G10ELRX PMEG120G10ELRX Виробник : NEXPERIA PMEG120G10ELR.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 120V; 1A; 12ns; SOD123W; Ufmax: 0.77V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 120V
Load current: 1A
Reverse recovery time: 12ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe)
Case: SOD123W
Max. forward voltage: 0.77V
Max. forward impulse current: 50A
Leakage current: 30nA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.