
на замовлення 6920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 35.02 грн |
16+ | 22.45 грн |
100+ | 14.09 грн |
500+ | 13.06 грн |
1000+ | 8.95 грн |
3000+ | 8.88 грн |
9000+ | 6.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG120G20ELRX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMEG120G20ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, Si-Germanium (SiGe), 120V, 2A, einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pins, 840mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W), Durchlassstoßstrom: 70A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 840mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMEG120G20ELRX за ціною від 24.78 грн до 38.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMEG120G20ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 840mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
PMEG120G20ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 840mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 120V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
![]() |
PMEG120G20ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
PMEG120G20ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 120V; 2A; 11ns; SOD123W; Ufmax: 0.77V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Mounting: SMD Case: SOD123W Max. off-state voltage: 120V Max. forward voltage: 0.77V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 11ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
PMEG120G20ELRX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 120V 2A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
PMEG120G20ELRX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 120V 2A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V |
товару немає в наявності |
|||||||
![]() |
PMEG120G20ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 120V; 2A; 11ns; SOD123W; Ufmax: 0.77V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Mounting: SMD Case: SOD123W Max. off-state voltage: 120V Max. forward voltage: 0.77V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 11ns |
товару немає в наявності |