Продукція > NEXPERIA > PMEG120G30ELPX

PMEG120G30ELPX Nexperia



Виробник: Nexperia
Rectifiers PMEG120G30ELP/SOD128/FlatPower
на замовлення 26812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.32 грн
12+27.46 грн
100+16.27 грн
500+12.78 грн
1000+10.75 грн
3000+10.06 грн
6000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMEG120G30ELPX Nexperia

Description: DIODE SIGE 120V 3A SOD128/CFP5, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Supplier Device Package: SOD-128/CFP5, Current - Average Rectified (Io): 3A, Capacitance @ Vr, F: 103pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Reverse Recovery Time (trr): 11 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOD-128, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMEG120G30ELPX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMEG120G30ELPX PMEG120G30ELPX Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 120V 3A SOD128/CFP5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 103pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG120G30ELPX PMEG120G30ELPX Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 120V 3A SOD128/CFP5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 103pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG120G30ELPX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 120V 3A SOD128/CFP5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Current - Average Rectified (Io): 3A
Capacitance @ Vr, F: 103pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOD-128
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG120G30ELPX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 120V 3A SOD128/CFP5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 103pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 120 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 120 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.