PMEG150G10ELR-QX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 150V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.32 грн |
| 15+ | 20.15 грн |
| 100+ | 12.80 грн |
| 500+ | 9.02 грн |
| 1000+ | 8.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG150G10ELR-QX Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 150V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 15 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMEG150G10ELR-QX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG150G10ELR-QX | Nexperia |
 Rectifiers PMEG150G10ELR-Q/SOD123W/SOD2 |
на замовлення 2873 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMEG150G10ELR-QX |
|
Виробник: Nexperia
Rectifiers PMEG150G10ELR-Q/SOD123W/SOD2
Rectifiers PMEG150G10ELR-Q/SOD123W/SOD2
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)