
PMEG150G10ELRX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 150V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V
Description: DIODE SIGE 150V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 8.38 грн |
6000+ | 7.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG150G10ELRX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMEG150G10ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 1 A, Einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 850 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W), Durchlassstoßstrom: -, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 850mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMEG150G10ELRX за ціною від 7.22 грн до 38.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMEG150G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG150G10ELRX | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG150G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG150G10ELRX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 150V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 15 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V |
на замовлення 8970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PMEG150G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
PMEG150G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 1A; 15ns; SOD123W; Ufmax: 0.78V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Mounting: SMD Case: SOD123W Max. off-state voltage: 150V Max. forward voltage: 0.78V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 15ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PMEG150G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 1A; 15ns; SOD123W; Ufmax: 0.78V Max. forward impulse current: 50A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Mounting: SMD Case: SOD123W Max. off-state voltage: 150V Max. forward voltage: 0.78V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 15ns |
товару немає в наявності |