
PMEG200G10ELRX NEXPERIA

Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 34ns; SOD123W; Ufmax: 0.805V
Max. forward impulse current: 40A
Leakage current: 30nA
Kind of package: reel; tape
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe)
Mounting: SMD
Case: SOD123W
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 0.805V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 34ns
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
23+ | 18.73 грн |
36+ | 10.88 грн |
100+ | 9.58 грн |
102+ | 9.07 грн |
279+ | 8.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG200G10ELRX NEXPERIA
Description: DIODE SIGE 200V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V.
Інші пропозиції PMEG200G10ELRX за ціною від 9.33 грн до 39.79 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMEG200G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 34ns; SOD123W; Ufmax: 0.805V Max. forward impulse current: 40A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Mounting: SMD Case: SOD123W Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 0.805V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 34ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 936 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG200G10ELRX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 200V 1A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V |
на замовлення 7085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
PMEG200G10ELRX | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
PMEG200G10ELRX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 200V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 34 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PMEG200G10ELRX | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |