Продукція > NEXPERIA > PMEG200G10ELRX

PMEG200G10ELRX NEXPERIA


Виробник: NEXPERIA
PMEG200G10ELRX SMD universal diodes
на замовлення 6 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.36 грн
98+12.09 грн
269+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMEG200G10ELRX NEXPERIA

Description: DIODE SIGE 200V 1A SOD123W, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 34 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123W, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V.

Інші пропозиції PMEG200G10ELRX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMEG200G10ELRX Виробник : NEXPERIA pmeg200g10elr.pdf Rectifier Diode Switching SiGe 1.4A 34ns Automotive 2-Pin SOD-123W T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G10ELRX PMEG200G10ELRX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 200V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G10ELRX PMEG200G10ELRX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 200V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 29pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G10ELRX PMEG200G10ELRX Виробник : Nexperia PMEG200G10ELR-2938539.pdf Rectifiers PMEG200G10ELR/SOD123W/SOD2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.