на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.25 грн |
| 12+ | 28.78 грн |
| 100+ | 17.39 грн |
| 500+ | 13.58 грн |
| 1000+ | 13.06 грн |
| 3000+ | 11.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG200G20ELP-QX Nexperia
Description: DIODE SIGE 200V 2A SOD128/CFP5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 32 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 58pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SOD-128/CFP5, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMEG200G20ELP-QX за ціною від 11.94 грн до 49.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG200G20ELP-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 200V 2A SOD128/CFP5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 58pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-128/CFP5 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMEG200G20ELP-QX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 200V 2A SOD128/CFP5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 58pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-128/CFP5 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |