PMEG200G30ELP-QX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 200V 3A SOD128/CFP5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 31 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.14 грн |
| 10+ | 30.89 грн |
| 100+ | 19.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG200G30ELP-QX Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SIGE 200V 3A SOD128/CFP5, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 31 ns, Technology: SiGe (Silicon Germanium), Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: SOD-128/CFP5, Operating Temperature - Junction: 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMEG200G30ELP-QX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG200G30ELP-QX | Nexperia |
 Rectifiers PMEG200G30ELP-Q/SOD128/FlatPow |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMEG200G30ELP-QX |
|
Виробник: Nexperia
Rectifiers PMEG200G30ELP-Q/SOD128/FlatPow
Rectifiers PMEG200G30ELP-Q/SOD128/FlatPow
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)