Продукція > NEXPERIA > PMEG200G30ELPX
PMEG200G30ELPX

PMEG200G30ELPX Nexperia

pmeg200g30elp.pdf Виробник: Nexperia
Diode Switching SiGe 4.2A 2-Pin CFP5
на замовлення 6327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2596+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 2596
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMEG200G30ELPX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128), Durchlassstoßstrom: -, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 880mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PMEG200G30ELPX за ціною від 10.04 грн до 43.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMEG200G30ELPX PMEG200G30ELPX Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128)
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 880mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G30ELPX PMEG200G30ELPX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 200V 3A SOD128/CFP5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 14 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
на замовлення 3111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
12+27.51 грн
100+20.95 грн
500+14.98 грн
1000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G30ELPX PMEG200G30ELPX Виробник : Nexperia PMEG200G30ELP-2634407.pdf Rectifiers PMEG200G30ELP/SOD128/FlatPower
на замовлення 5024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.26 грн
11+33.15 грн
100+20.07 грн
500+15.70 грн
1000+12.75 грн
3000+10.79 грн
9000+10.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G30ELPX PMEG200G30ELPX Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - PMEG200G30ELPX - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, CFP5 (SOD-128), 2 Pin(s), 880 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: CFP5 (SOD-128)
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 880mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.26 грн
24+36.06 грн
100+22.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G30ELPX PMEG200G30ELPX Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEEC6F44658B40C7&compId=PMEG200G30ELP.pdf?ci_sign=62d0de7c08dadcc6d57ecee537ed5ad9f2a850f7 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 31ns; SOD128; Ufmax: 0.81V; Ir: 30nA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 31ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe)
Case: SOD128
Max. forward voltage: 0.81V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 30nA
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G30ELPX PMEG200G30ELPX Виробник : Nexperia USA Inc. Description: DIODE SIGE 200V 3A SOD128/CFP5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 2A (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 14 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 80pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SOD-128/CFP5
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG200G30ELPX PMEG200G30ELPX Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBEEC6F44658B40C7&compId=PMEG200G30ELP.pdf?ci_sign=62d0de7c08dadcc6d57ecee537ed5ad9f2a850f7 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 31ns; SOD128; Ufmax: 0.81V; Ir: 30nA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 3A
Reverse recovery time: 31ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe)
Case: SOD128
Max. forward voltage: 0.81V
Max. forward impulse current: 85A
Leakage current: 30nA
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.