Продукція > NXP SEMICONDUCTORS > PMEG2010BELD,315

PMEG2010BELD,315 NXP Semiconductors

Name: PMEG2010BELD,315
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 45807261-3
Price: 3.36 UAH
Availability: InStock

PHGLS24478-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PMEG2010BELD - RECTIFIE
Packaging: Bulk
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V

на замовлення 280137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5973+	3.36 грн

Мінімальне замовлення: 5973

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMEG2010BELD,315 NXP Semiconductors

Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DFN1006-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-882, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DFN1006-2, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V.

Інші пропозиції PMEG2010BELD,315 за ціною від 3.71 грн до 29.95 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DFN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
10000+	4.2 грн
30000+	3.97 грн

Мінімальне замовлення: 10000

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia

Diode Schottky 1A 2-Pin DFN-D T/R

на замовлення 5390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1357+	8.56 грн
2229+	5.21 грн
2500+	4.95 грн

Мінімальне замовлення: 1357

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia

Diode Schottky 1A 2-Pin DFN-D T/R

на замовлення 8423 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
22+	27.2 грн
30+	19.31 грн
100+	7.93 грн
1000+	4.65 грн
2500+	4.1 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia

Diode Schottky 1A 2-Pin DFN-D T/R

на замовлення 5390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
22+	27.28 грн
30+	19.35 грн
100+	7.95 грн
1000+	4.67 грн
2500+	4.1 грн

Мінімальне замовлення: 22

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia

Diode Schottky 1A 2-Pin DFN-D T/R

на замовлення 5315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
21+	27.94 грн
25+	27.87 грн
100+	26.81 грн
250+	24.77 грн
500+	23.73 грн
1000+	23.67 грн
3000+	23.62 грн

Мінімальне замовлення: 21

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: DIODE SCHOTTKY 20V 1A DFN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-882
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 40pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DFN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V

на замовлення 44268 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	27.95 грн
15+	18.98 грн
100+	9.59 грн
500+	7.35 грн
1000+	5.45 грн
2000+	4.59 грн
5000+	4.31 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia

Schottky Diodes & Rectifiers PMEG2010BELD/SOD882D/XSON2

на замовлення 4258 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
11+	29.45 грн
15+	20.8 грн
100+	7.49 грн
1000+	4.64 грн
2500+	4.44 грн
10000+	3.78 грн
20000+	3.71 грн

Мінімальне замовлення: 11

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia

Diode Schottky 1A 2-Pin DFN-D T/R

на замовлення 5315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
388+	29.95 грн
389+	29.88 грн
500+	29.81 грн
1000+	28.68 грн
3000+	26.5 грн

Мінімальне замовлення: 388

PMEG2010BELD,315

Виробник : NXP

Description: NXP - PMEG2010BELD,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 270137 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
7598+	4.76 грн

Мінімальне замовлення: 7598

PMEG2010BELD,315

Виробник : NEXPERIA

Rectifier Diode Schottky 20V 1A 1.6ns Automotive 2-Pin DFN-D T/R

товар відсутній

PMEG2010BELD,315

Виробник : Nexperia

Diode Schottky 1A 2-Pin DFN-D T/R

товар відсутній

PMEG2010BELD,315

Виробник : NEXPERIA

Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 20V; 1A; DFN1006D-2,SOD882D
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 20V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 40pF
Max. forward voltage: 0.49V
Case: DFN1006D-2; SOD882D
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 6A
кількість в упаковці: 10000 шт

товар відсутній

PMEG2010BELD,315

Виробник : NEXPERIA

товар відсутній