
PMEG3010AESBYL Nexperia USA Inc.

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 86pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 255 µA @ 20 V
на замовлення 210000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 3.24 грн |
20000+ | 3.04 грн |
30000+ | 2.89 грн |
50000+ | 2.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG3010AESBYL Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMEG3010AESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 30 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 480 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-993, Durchlassstoßstrom: 10A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 480mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PMEG3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMEG3010AESBYL за ціною від 2.87 грн до 11.63 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-993 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 480mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PMEG3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 3.5 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 86pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 255 µA @ 20 V |
на замовлення 216917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 25244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-993 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 480mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PMEG3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
PMEG3010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
PMEG3010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DSN1006-2,SOD993; SMD; 30V; 1A; 3.5ns Type of diode: Schottky rectifying Case: DSN1006-2; SOD993 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 86pF Max. forward voltage: 0.48V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.78W Reverse recovery time: 3.5ns Max. load current: 4A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
PMEG3010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DSN1006-2,SOD993; SMD; 30V; 1A; 3.5ns Type of diode: Schottky rectifying Case: DSN1006-2; SOD993 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 30V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 86pF Max. forward voltage: 0.48V Max. forward impulse current: 10A Kind of package: reel; tape Power dissipation: 1.78W Reverse recovery time: 3.5ns Max. load current: 4A |
товару немає в наявності |