PMEG6010AESB315 NXP
Виробник: NXPDescription: NXP - PMEG6010AESB315 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 711494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7788+ | 5.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG6010AESB315 NXP
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN10062, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: 2-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DSN1006-2, Operating Temperature - Junction: 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 625 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V.
Інші пропозиції PMEG6010AESB315
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG6010AESB315 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN10062 Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 625 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V |
товару немає в наявності |