
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 4.39 грн |
20000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG6010AESBYL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMEG6010AESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 625 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-993, Durchlassstoßstrom: 10A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 625mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: -, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PMEG6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMEG6010AESBYL за ціною від 3.45 грн до 19.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 6710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-993 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 625mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PMEG6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 625 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V |
на замовлення 5301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-993 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 625mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PMEG6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 8435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 16009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
PMEG6010AESBYL | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 16212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMEG6010AESBYL | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
на замовлення 664280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PMEG6010AESBYL діод Код товару: 197187
Додати до обраних
Обраний товар
|
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DSN1006-2,SOD993; SMD; 60V; 1.4A Type of diode: Schottky rectifying Case: DSN1006-2; SOD993 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1.4A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 20pF Max. forward voltage: 0.625V Leakage current: 0.65mA Max. forward impulse current: 10A Reverse recovery time: 2.4ns Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 625 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 650 µA @ 60 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
PMEG6010AESBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; DSN1006-2,SOD993; SMD; 60V; 1.4A Type of diode: Schottky rectifying Case: DSN1006-2; SOD993 Mounting: SMD Max. off-state voltage: 60V Load current: 1.4A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 20pF Max. forward voltage: 0.625V Leakage current: 0.65mA Max. forward impulse current: 10A Reverse recovery time: 2.4ns Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ultrafast switching |
товару немає в наявності |