Продукція > NXP USA INC. > PMEG6010ESBYL
PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.

PMEG6010ESB.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7088+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 7088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-993, Durchlassstoßstrom: 10A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 730mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PMEG6010ESBYL за ціною від 2.94 грн до 20.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia 2156320079232410pmeg6010esb.pdf Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8671+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 8671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia 2156320079232410pmeg6010esb.pdf Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia 2156320079232410pmeg6010esb.pdf Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia USA Inc. PMEG6010ESB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.78 грн
23+12.90 грн
100+6.88 грн
500+5.53 грн
1000+5.04 грн
2000+4.76 грн
5000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia PMEG6010ESB.pdf Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL NEXPERIA PMEG6010ESB.pdf Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-993
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010ESB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 199680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7088+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 7088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010ESB.pdf Rectifier Diode Schottky 1.4A 2.4ns 2-Pin DSN T/R
на замовлення 199680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8671+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 8671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL NXP/Nexperia/We-En PMEG6010ESB-1544634.pdf Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL 2156320079232410pmeg6010esb.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: Nexperia
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8671+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 8671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL 2156320079232410pmeg6010esb.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: Nexperia
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL 2156320079232410pmeg6010esb.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: Nexperia
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+20.78 грн
23+12.90 грн
100+6.88 грн
500+5.53 грн
1000+5.04 грн
2000+4.76 грн
5000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: Nexperia
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-993
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 200180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 199680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7088+2.94 грн
Мінімальне замовлення: 7088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Rectifier Diode Schottky 1.4A 2.4ns 2-Pin DSN T/R
на замовлення 199680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8671+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 8671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB-1544634.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 694 шт
В кошику  од. на суму  грн.