Продукція > NXP USA INC. > PMEG6010ESBYL
PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.

PMEG6010ESB.pdf
Виробник: NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7088+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 7088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DSN1006-2, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V.

Інші пропозиції PMEG6010ESBYL за ціною від 2.86 грн до 21.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia PMEG6010ESB.pdf Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.43 грн
29+11.32 грн
100+5.10 грн
1000+4.05 грн
2500+3.84 грн
10000+3.56 грн
20000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia USA Inc. PMEG6010ESB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.21 грн
23+13.16 грн
100+7.02 грн
500+5.64 грн
1000+5.14 грн
2000+4.86 грн
5000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010ESB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 199680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7088+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 7088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL NXP/Nexperia/We-En PMEG6010ESB-1544634.pdf Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
10000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 694 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: Nexperia
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
на замовлення 14705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.43 грн
29+11.32 грн
100+5.10 грн
1000+4.05 грн
2500+3.84 грн
10000+3.56 грн
20000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
PMEG6010ESBYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
15+21.21 грн
23+13.16 грн
100+7.02 грн
500+5.64 грн
1000+5.14 грн
2000+4.86 грн
5000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB.pdf
Виробник: NXP Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 199680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7088+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 7088 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESB-1544634.pdf
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10000 шт
на замовлення 694 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 694 шт
В кошику  од. на суму  грн.