PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Bulk
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7088+ | 3.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-993, Durchlassstoßstrom: 10A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 730mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PMEG6010ESBYL за ціною від 2.87 грн до 21.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMEG6010ESBYL | Виробник : Nexperia |
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMEG6010ESBYL | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-993 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 730mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 200180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMEG6010ESBYL | Виробник : Nexperia |
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMEG6010ESBYL | Виробник : Nexperia |
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMEG6010ESBYL | Виробник : Nexperia |
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2 |
на замовлення 14705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMEG6010ESBYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V |
на замовлення 8199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMEG6010ESBYL | Виробник : NXP Semiconductors |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Packaging: Bulk Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V |
на замовлення 199680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PMEG6010ESBYL | Виробник : NXP Semiconductors |
Rectifier Diode Schottky 1.4A 2.4ns 2-Pin DSN T/R |
на замовлення 199680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PMEG6010ESBYL | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Група товару: Діоди Корпус: DSN-1006-2 Од. вим: 200 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 694 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PMEG6010ESBYL | Виробник : NXP |
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PMEG6010ESBYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V |
товару немає в наявності |