Продукція > NEXPERIA > PMEG6020EPAS-QX

PMEG6020EPAS-QX NEXPERIA


PMEG6020EPAS.pdf Виробник: NEXPERIA
PMEG6020EPAS-Q/SOT1061/HUSON3
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMEG6020EPAS-QX NEXPERIA

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DFN2020D3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DFN2020D-3, Operating Temperature - Junction: 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 575 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 60 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMEG6020EPAS-QX

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMEG6020EPAS-QX Виробник : Nexperia PMEG6020EPAS.pdf PMEG6020EPAS-QX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6020EPAS-QX Виробник : Nexperia PMEG6020EPAS.pdf PMEG6020EPAS-QX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6020EPAS-QX PMEG6020EPAS-QX Виробник : Nexperia USA Inc. PMEG6020EPAS.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 2A DFN2020D3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 250pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Operating Temperature - Junction: 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 575 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6020EPAS-QX PMEG6020EPAS-QX Виробник : Nexperia PMEG6020EPAS.pdf Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6020EPAS-Q/SOT1061/HUSON3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.