Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMF170XP,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMF170XP,115 за ціною від 2.55 грн до 26.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PMF170XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 7955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMF170XP,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMF170XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMF170XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMF170XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMF170XP,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.7A Power dissipation: 0.36W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6875 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMF170XP,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V |
на замовлення 24238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMF170XP,115 | Nexperia |
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70 |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMF170XP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 290mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PMF170XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 174 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 7955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4311+ | 3.29 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.86 грн |
| 6000+ | 3.34 грн |
| 9000+ | 3.14 грн |
| 15000+ | 2.75 грн |
| 21000+ | 2.62 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.21 грн |
| 6000+ | 4.43 грн |
| 9000+ | 4.04 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.22 грн |
| 6000+ | 4.44 грн |
| 9000+ | 4.05 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 11.30 грн |
| 108+ | 7.04 грн |
| 109+ | 6.97 грн |
| 178+ | 4.11 грн |
| 250+ | 3.76 грн |
| 500+ | 3.40 грн |
| 1000+ | 3.19 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6875 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 12.53 грн |
| 43+ | 9.72 грн |
| 50+ | 8.48 грн |
| 100+ | 7.16 грн |
| 250+ | 5.70 грн |
| 500+ | 4.31 грн |
| 1000+ | 3.87 грн |
| 3000+ | 3.58 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 24238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.64 грн |
| 28+ | 11.07 грн |
| 100+ | 6.90 грн |
| 500+ | 4.75 грн |
| 1000+ | 4.20 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 19.41 грн |
| 27+ | 11.83 грн |
| 100+ | 6.42 грн |
| 500+ | 4.76 грн |
| 3000+ | 3.45 грн |
| 6000+ | 3.11 грн |
| 9000+ | 2.55 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 26.98 грн |
| 48+ | 16.83 грн |
| 100+ | 10.79 грн |
| 500+ | 7.55 грн |
| 1000+ | 6.14 грн |
| 5000+ | 5.16 грн |
| PMF170XP,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






