PMF170XP,115 Nexperia USA Inc.


PMF170XP.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMF170XP,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 290mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.

Інші пропозиції PMF170XP,115 за ціною від 3.58 грн до 32.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMF170XP,115 PMF170XP,115 NEXPERIA PMF170XP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.53 грн
43+9.72 грн
50+8.48 грн
100+7.16 грн
250+5.70 грн
500+4.31 грн
1000+3.87 грн
3000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia USA Inc. PMF170XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
25+11.97 грн
50+8.59 грн
100+7.00 грн
500+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia pmf170xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.06 грн
39+19.62 грн
100+12.26 грн
500+8.64 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia PMF170XP.pdf MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003511357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia pmf170xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.36W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4775 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+12.53 грн
43+9.72 грн
50+8.48 грн
100+7.16 грн
250+5.70 грн
500+4.31 грн
1000+3.87 грн
3000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.19 грн
25+11.97 грн
50+8.59 грн
100+7.00 грн
500+5.14 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 pmf170xp.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.06 грн
39+19.62 грн
100+12.26 грн
500+8.64 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 PMF170XP.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 NEXP-S-A0003511357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 7702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF170XP,115 pmf170xp.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.