PMF170XP,115 NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 12.79 грн |
| 43+ | 9.93 грн |
| 50+ | 8.65 грн |
| 100+ | 7.31 грн |
| 250+ | 5.82 грн |
| 500+ | 4.40 грн |
| 1000+ | 3.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMF170XP,115 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 290mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm.
Інші пропозиції PMF170XP,115 за ціною від 4.85 грн до 31.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMF170XP,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V |
на замовлення 1311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMF170XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMF170XP,115 | Nexperia |
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70 |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PMF170XP,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 290mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMF170XP,115 | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 174 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMF170XP,115 |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 19.03 грн |
| 28+ | 11.30 грн |
| 50+ | 8.08 грн |
| 100+ | 6.60 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| PMF170XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 31.99 грн |
| 39+ | 19.57 грн |
| 100+ | 12.23 грн |
| 500+ | 8.62 грн |
| 1000+ | 7.56 грн |
| PMF170XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMF170XP,115 |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMF170XP,115 |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)