на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMF250XNEX NEXPERIA
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 342mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 15 V.
Інші пропозиції PMF250XNEX за ціною від 2.44 грн до 26.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMF250XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 342mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 15 V |
на замовлення 112991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMF250XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.65nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 4A |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMF250XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A; SC70,SOT323 Case: SC70; SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.5A On-state resistance: 416mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 1.65nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 4A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 405 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMF250XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 342mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 15 V |
на замовлення 113599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMF250XNEX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMF250XNE/SOT323/SC-70 |
на замовлення 48618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|