на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMF250XNEX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMF250XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.212 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 275mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.212ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMF250XNEX за ціною від 2.56 грн до 31.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMF250XNEX | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMF250XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.212 ohm, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.212ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMF250XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMF250XNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 900 mA, 0.212 ohm, SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 275mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.212ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMF250XNEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMF250XNE/SOT323/SC-70 |
на замовлення 21652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMF250XNEX | Виробник : NEXPERIA |
PMF250XNEX SMD N channel transistors |
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PMF250XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 342mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMF250XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 1A SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 254mOhm @ 900mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 342mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |