Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMF63UNEX
PMF63UNEX

PMF63UNEX Nexperia USA Inc.

PMF63UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 2.2A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 395mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.85 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 289 pF @ 10 V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.21 грн
16+19.06 грн
100+12.04 грн
500+8.45 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMF63UNEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMF63UNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.065 ohm, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMF63UNEX за ціною від 10.54 грн до 47.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMF63UNEX PMF63UNEX NEXPERIA PMF63UNE.pdf Description: NEXPERIA - PMF63UNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.065 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.33 грн
50+29.16 грн
100+18.33 грн
500+12.78 грн
1500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMF63UNEX PMF63UNE.pdf
PMF63UNEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMF63UNEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.065 ohm, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+47.33 грн
50+29.16 грн
100+18.33 грн
500+12.78 грн
1500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.