Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMFPB8032XP,115
PMFPB8032XP,115

PMFPB8032XP,115 Nexperia USA Inc.

PMFPB8032XP.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.36 грн
10+49.51 грн
50+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMFPB8032XP,115 Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 485mW (Ta), 6.25W (Tc), FET Feature: Schottky Diode (Isolated), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 2.7A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції PMFPB8032XP,115

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMFPB8032XP,115 PMFPB8032XP,115 Nexperia PMFPB8032XP-1320418.pdf MOSFET Broad small-signal MOSFET Portfolio
на замовлення 5147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMFPB8032XP,115 PMFPB8032XP,115 NEXPERIA 1758166.pdf Description: NEXPERIA - PMFPB8032XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-1118, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 485mW
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMFPB8032XP,115 PMFPB8032XP-1320418.pdf
PMFPB8032XP,115
Виробник: Nexperia
MOSFET Broad small-signal MOSFET Portfolio
на замовлення 5147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMFPB8032XP,115 1758166.pdf
PMFPB8032XP,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMFPB8032XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-1118, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 485mW
Bauform - Transistor: SOT-1118
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.