на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 7.65 грн |
| 9000+ | 7.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMGD175XNEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 390mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 390mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMGD175XNEX за ціною від 7.21 грн до 72.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMGD175XNEX | Виробник : NEXPERIA |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 260mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD175XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 260mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 4883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMGD175XNE/SOT363/SC-88 |
на замовлення 8830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD175XNEX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |