Продукція > NEXPERIA > PMGD175XNEX
PMGD175XNEX

PMGD175XNEX Nexperia

pmgd175xne.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD175XNEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 390mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 390mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMGD175XNEX за ціною від 6.56 грн до 40.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.54 грн
9000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia pmgd175xne.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia USA Inc. PMGD175XNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.92 грн
6000+7.82 грн
9000+7.43 грн
15000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.65 грн
9000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia pmgd175xne.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
762+11.23 грн
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia pmgd175xne.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1263+11.23 грн
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 1263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia USA Inc. PMGD175XNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 16821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.63 грн
100+15.04 грн
500+10.62 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia PMGD175XNE.pdf MOSFETs PMGD175XNE/SOT363/SC-88
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX NEXPERIA NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNEX NEXPERIA NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.54 грн
9000+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX pmgd175xne.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNE.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.92 грн
6000+7.82 грн
9000+7.43 грн
15000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.65 грн
9000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX pmgd175xne.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
762+11.23 грн
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX pmgd175xne.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1263+11.23 грн
3000+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 1263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNE.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 16821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.38 грн
13+23.63 грн
100+15.04 грн
500+10.62 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX PMGD175XNE.pdf
PMGD175XNEX
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMGD175XNE/SOT363/SC-88
на замовлення 8830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD175XNEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD175XNEX NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD175XNEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.