Продукція > NEXPERIA > PMGD175XNEX
PMGD175XNEX

PMGD175XNEX NEXPERIA

164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD175XNEX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 390mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 390mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції PMGD175XNEX за ціною від 5.73 грн до 33.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.03 грн
9000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.04 грн
9000+ 6.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.38 грн
9000+ 6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia USA Inc. PMGD175XNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.94 грн
9000+ 7.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.25 грн
500+ 9.16 грн
1000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
597+19.56 грн
932+ 12.53 грн
971+ 12.03 грн
1039+ 10.84 грн
1321+ 7.89 грн
3000+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 597
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+27.92 грн
28+ 21.21 грн
32+ 18.16 грн
100+ 11.22 грн
250+ 9.97 грн
500+ 8.95 грн
1000+ 7.04 грн
3000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia USA Inc. PMGD175XNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.09 грн
14+ 21.02 грн
100+ 12.61 грн
500+ 10.96 грн
1000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : Nexperia PMGD175XNE-2938677.pdf MOSFET PMGD175XNE/SOT363/SC-88
на замовлення 16143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.38 грн
14+ 22.29 грн
100+ 10.85 грн
1000+ 7.59 грн
3000+ 6.66 грн
9000+ 6.06 грн
24000+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+33.47 грн
30+ 25.1 грн
100+ 12.25 грн
500+ 9.16 грн
1000+ 6.4 грн
Мінімальне замовлення: 23
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : NEXPERIA PMGD175XNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 4A
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
On-state resistance: 411mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Виробник : NEXPERIA PMGD175XNE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 4A
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
On-state resistance: 411mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній