Продукція > NEXPERIA > PMGD280UN,115
PMGD280UN,115

PMGD280UN,115 Nexperia

176950194670248pmgd280un.pdf
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.42 грн
6000+8.33 грн
15000+7.70 грн
30000+6.94 грн
75000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD280UN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції PMGD280UN,115 за ціною від 5.72 грн до 38.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia 176950194670248pmgd280un.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA PMGD280UN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.89nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.34 грн
33+13.07 грн
38+11.06 грн
100+9.97 грн
250+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc. PMGD280UN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.89 грн
16+19.30 грн
100+12.20 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia PMGD280UN.pdf MOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
на замовлення 174569 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
9+38.02 грн
14+23.05 грн
50+14.48 грн
100+12.70 грн
1000+9.80 грн
3000+6.16 грн
6000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 176950194670248pmgd280un.pdf
PMGD280UN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
PMGD280UN,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.55A
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 0.89nC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.34 грн
33+13.07 грн
38+11.06 грн
100+9.97 грн
250+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
PMGD280UN,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.89 грн
16+19.30 грн
100+12.20 грн
500+8.55 грн
1000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
PMGD280UN,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
на замовлення 174569 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.02 грн
14+23.05 грн
50+14.48 грн
100+12.70 грн
1000+9.80 грн
3000+6.16 грн
6000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD280UN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD280UN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.