Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMGD280UN,115
PMGD280UN,115

PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc.

PMGD280UN.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.84 грн
6000+5.97 грн
9000+5.66 грн
15000+4.98 грн
21000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMGD280UN,115 за ціною від 5.32 грн до 35.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.00 грн
500+10.47 грн
1500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA PMGD280UN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 0.66Ω
Gate charge: 0.89nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.21 грн
34+12.46 грн
40+10.47 грн
100+9.47 грн
250+8.73 грн
500+8.31 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc. PMGD280UN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 29499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
17+18.55 грн
100+11.73 грн
500+8.23 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.28 грн
50+19.65 грн
100+12.00 грн
500+10.47 грн
1500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN,115 Nexperia PMGD280UN.pdf MOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
на замовлення 174569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.36 грн
15+21.44 грн
50+13.46 грн
100+11.80 грн
1000+9.11 грн
3000+5.73 грн
6000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 NXP PMGD280UN.pdf Transistor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115 PMGD280UN NEXPERIA TPMGD280un
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD280UN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.00 грн
500+10.47 грн
1500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
PMGD280UN,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.4W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 0.66Ω
Gate charge: 0.89nC
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4475 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.21 грн
34+12.46 грн
40+10.47 грн
100+9.47 грн
250+8.73 грн
500+8.31 грн
1000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
PMGD280UN,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 29499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.84 грн
17+18.55 грн
100+11.73 грн
500+8.23 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 NEXP-S-A0002882749-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD280UN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+35.28 грн
50+19.65 грн
100+12.00 грн
500+10.47 грн
1500+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
PMGD280UN,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88
на замовлення 174569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+35.36 грн
15+21.44 грн
50+13.46 грн
100+11.80 грн
1000+9.11 грн
3000+5.73 грн
6000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD280UN,115 PMGD280UN.pdf
Виробник: NXP
Transistor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115 PMGD280UN NEXPERIA TPMGD280un
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+14.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.