PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.93 грн |
| 6000+ | 6.05 грн |
| 9000+ | 5.73 грн |
| 15000+ | 5.04 грн |
| 21000+ | 4.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMGD280UN,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 400mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMGD280UN,115 за ціною від 5.38 грн до 35.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMGD280UN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD280UN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.55A; 400mW Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET x2 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Polarisation: unipolar Gate charge: 0.89nC On-state resistance: 0.66Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 0.55A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 4476 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD280UN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 400mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.89nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 29499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD280UN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD280UN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.28 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.28ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 400mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD280UN,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMGD280UN/SOT363/SC-88 |
на замовлення 174569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMGD280UN,115 | Виробник : NXP |
Transistor: N-MOSFET x2; unipolarny; 20V; 0,55A; 400mW; SOT363; PMGD280UN,115 PMGD280UN NEXPERIA TPMGD280un кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PMGD280UN,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |