Продукція > NEXPERIA > PMGD290UCEAX
PMGD290UCEAX

PMGD290UCEAX NEXPERIA

PMGD290UCEA.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 450/-320mA
Pulsed drain current: 3A
Power dissipation: 0.99W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 380/850mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+24.83 грн
25+17.05 грн
35+11.94 грн
100+8.98 грн
250+8.15 грн
500+7.49 грн
1000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD290UCEAX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 445mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції PMGD290UCEAX за ціною від 7.51 грн до 32.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Nexperia USA Inc. PMGD290UCEA.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.33 грн
16+19.05 грн
100+12.02 грн
500+8.43 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Nexperia PMGD290UCEA.pdf MOSFETs SOT363 NPCH 20V .725A
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX NEXPERIA NEXP-S-A0003511409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX PMGD290UCEA.pdf
PMGD290UCEAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
16+19.05 грн
100+12.02 грн
500+8.43 грн
1000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX PMGD290UCEA.pdf
PMGD290UCEAX
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT363 NPCH 20V .725A
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX NEXP-S-A0003511409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD290UCEAX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 21755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.