PMGD290UCEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.69 грн |
| 6000+ | 6.18 грн |
| 9000+ | 5.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMGD290UCEAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 280mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q100.
Інші пропозиції PMGD290UCEAX за ціною від 5.13 грн до 30.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMGD290UCEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 280mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 21818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD290UCEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMGD290UCEA/SOT363/SC-88 |
на замовлення 59150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD290UCEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: No Verlustleistung, n-Kanal: 445mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 41315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD290UCEAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.725A/0.5A Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PMGD290UCEAX | Виробник : NEXPERIA |
PMGD290UCEAX Multi channel transistors |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|