Продукція > NEXPERIA > PMGD290UCEAX
PMGD290UCEAX

PMGD290UCEAX NEXPERIA

PMGD290UCEA.pdf Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.68/1.14nC
On-state resistance: 380/850mΩ
Power dissipation: 0.99W
Drain current: 450/-320mA
Pulsed drain current: 3A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20/-20V
Application: automotive industry
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.84 грн
25+17.05 грн
35+11.95 грн
100+8.98 грн
250+8.16 грн
500+7.50 грн
1000+7.17 грн
3000+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD290UCEAX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 445mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 445mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMGD290UCEAX за ціною від 5.48 грн до 46.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMGD290UCEA.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.26 грн
18+17.20 грн
100+10.88 грн
500+7.63 грн
1000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Виробник : Nexperia PMGD290UCEA.pdf MOSFETs SOT363 NPCH 20V .725A
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.90 грн
17+18.58 грн
100+10.20 грн
500+7.67 грн
1000+6.98 грн
3000+6.09 грн
6000+5.48 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003511409-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD290UCEAX - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 725mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 725mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 445mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 445mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+46.23 грн
29+28.11 грн
100+17.81 грн
500+12.38 грн
1000+10.27 грн
5000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290UCEAX PMGD290UCEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMGD290UCEA.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 280mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 725mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.