Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMGD290XN,115
PMGD290XN,115

PMGD290XN,115 Nexperia USA Inc.

PMGD290XN.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.00 грн
6000+4.67 грн
9000+4.53 грн
15000+4.22 грн
21000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD290XN,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMGD290XN,115 за ціною від 3.97 грн до 61.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
136+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 136
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4609+6.96 грн
10000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 4609
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1755+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 1755
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1443+7.83 грн
3000+7.03 грн
6000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 1443
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002882741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+21.43 грн
1500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMGD290XN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 50057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.10 грн
21+14.24 грн
100+7.67 грн
500+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia PMGD290XN.pdf MOSFETs SOT363 2NCH 20V .86A
на замовлення 108908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.32 грн
22+14.32 грн
100+6.84 грн
500+6.43 грн
1000+6.09 грн
3000+4.17 грн
6000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0002882741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD290XN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 52908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.24 грн
50+27.07 грн
100+23.64 грн
500+21.43 грн
1500+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 PMGD290XN,115 Виробник : Nexperia pmgd290xn.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.86A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115
Код товару: 127291
Додати до обраних Обраний товар

PMGD290XN.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD290XN,115 Виробник : NEXPERIA PMGD290XN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 860mA; Idm: 1.72A; 410mW
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.72nC
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 0.41W
Drain current: 860mA
Pulsed drain current: 1.72A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.