Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMGD780SN,115
PMGD780SN,115

PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.

PMGD780SN.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.45 грн
6000+4.96 грн
9000+4.31 грн
15000+4.02 грн
21000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PMGD780SN,115 за ціною від 6.28 грн до 30.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
6000+7.71 грн
9000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.17 грн
6000+7.71 грн
9000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.73 грн
6000+8.25 грн
9000+7.45 грн
15000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.32 грн
9000+8.96 грн
12000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA PMGD780SN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.31A; 410mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.41W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.05nC
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.37 грн
35+12.31 грн
42+10.27 грн
100+8.66 грн
250+7.81 грн
500+7.30 грн
1000+6.96 грн
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+24.72 грн
832+17.62 грн
989+14.81 грн
1218+11.60 грн
1808+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.88 грн
33+24.10 грн
37+21.55 грн
100+15.54 грн
250+12.33 грн
500+9.81 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.15 грн
22+14.14 грн
100+8.41 грн
500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.17 грн
6000+7.71 грн
9000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.17 грн
6000+7.71 грн
9000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.73 грн
6000+8.25 грн
9000+7.45 грн
15000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.32 грн
9000+8.96 грн
12000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.31A; 410mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.41W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.05nC
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+17.37 грн
35+12.31 грн
42+10.27 грн
100+8.66 грн
250+7.81 грн
500+7.30 грн
1000+6.96 грн
3000+6.28 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
593+24.72 грн
832+17.62 грн
989+14.81 грн
1218+11.60 грн
1808+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.88 грн
33+24.10 грн
37+21.55 грн
100+15.54 грн
250+12.33 грн
500+9.81 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.15 грн
22+14.14 грн
100+8.41 грн
500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.