Продукція > NEXPERIA > PMGD780SN,115
PMGD780SN,115

PMGD780SN,115 NEXPERIA

172303137583267pmgd780sn.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMGD780SN,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMGD780SN,115 за ціною від 4.02 грн до 42.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.61 грн
6000+5.10 грн
9000+4.44 грн
15000+4.14 грн
21000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.91 грн
6000+6.52 грн
9000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.40 грн
6000+6.98 грн
9000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.87 грн
9000+7.57 грн
12000+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.90 грн
6000+7.47 грн
9000+6.75 грн
15000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.65 грн
500+8.49 грн
1500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
593+20.89 грн
832+14.89 грн
989+12.52 грн
1218+9.80 грн
1808+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 593
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+27.05 грн
33+21.82 грн
37+19.51 грн
100+14.07 грн
250+11.16 грн
500+8.88 грн
1000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.03 грн
22+14.55 грн
100+8.65 грн
500+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : Nexperia PMGD780SN-2938732.pdf MOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
на замовлення 31889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.09 грн
20+18.06 грн
100+7.93 грн
1000+6.49 грн
3000+5.51 грн
9000+4.98 грн
24000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 17353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+33.03 грн
53+16.26 грн
100+9.65 грн
500+8.49 грн
1500+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 Виробник : NEXPERIA PMGD780SN.pdf PMGD780SN.115 Multi channel transistors
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.48 грн
100+13.52 грн
103+10.95 грн
281+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
на замовлення 29688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.