PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.29 грн |
| 6000+ | 4.81 грн |
| 9000+ | 4.19 грн |
| 15000+ | 3.90 грн |
| 21000+ | 3.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMGD780SN,115 за ціною від 4.38 грн до 42.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD780SN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88 |
на замовлення 31889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 410mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Not For New Designs |
на замовлення 23286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMGD780SN,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 410mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 17998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMGD780SN,115 |
|
на замовлення 29688 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |