Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PMGD780SN.115

PMGD780SN.115

Код товару: 167956
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PMGD780SN.115 за ціною від 3.86 грн до 29.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
6000+4.90 грн
9000+4.26 грн
15000+3.97 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+7.45 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.89 грн
6000+7.45 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.43 грн
6000+7.97 грн
9000+7.19 грн
15000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.00 грн
9000+8.66 грн
12000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA PMGD780SN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.31A; 410mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.41W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.05nC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
36+11.66 грн
44+9.73 грн
100+8.22 грн
250+7.38 грн
500+6.88 грн
1000+6.54 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
593+23.87 грн
832+17.01 грн
989+14.30 грн
1218+11.20 грн
1808+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.85 грн
33+23.27 грн
37+20.81 грн
100+15.00 грн
250+11.90 грн
500+9.47 грн
1000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
22+13.96 грн
100+8.30 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.38 грн
6000+4.90 грн
9000+4.26 грн
15000+3.97 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.89 грн
6000+7.45 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.89 грн
6000+7.45 грн
9000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.43 грн
6000+7.97 грн
9000+7.19 грн
15000+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.00 грн
9000+8.66 грн
12000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.31A; 410mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.41W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.05nC
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.26 грн
36+11.66 грн
44+9.73 грн
100+8.22 грн
250+7.38 грн
500+6.88 грн
1000+6.54 грн
3000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
593+23.87 грн
832+17.01 грн
989+14.30 грн
1218+11.20 грн
1808+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 593 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+28.85 грн
33+23.27 грн
37+20.81 грн
100+15.00 грн
250+11.90 грн
500+9.47 грн
1000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
22+13.96 грн
100+8.30 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.