Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > PMGD780SN.115

PMGD780SN.115

Код товару: 167956
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції PMGD780SN.115 за ціною від 3.86 грн до 42.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.38 грн
6000+4.90 грн
9000+4.26 грн
15000+3.97 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.09 грн
500+11.93 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia PMGD780SN-2938732.pdf MOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
на замовлення 31889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+28.69 грн
20+16.67 грн
100+7.32 грн
1000+5.99 грн
3000+5.09 грн
9000+4.60 грн
24000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
22+13.96 грн
100+8.30 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.76 грн
50+20.24 грн
100+13.09 грн
500+11.93 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
на замовлення 29688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.38 грн
6000+4.90 грн
9000+4.26 грн
15000+3.97 грн
21000+3.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+13.09 грн
500+11.93 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN-2938732.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia
MOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
на замовлення 31889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+28.69 грн
20+16.67 грн
100+7.32 грн
1000+5.99 грн
3000+5.09 грн
9000+4.60 грн
24000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
PMGD780SN,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+29.78 грн
22+13.96 грн
100+8.30 грн
500+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 17998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.76 грн
50+20.24 грн
100+13.09 грн
500+11.93 грн
1500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
на замовлення 29688 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.