PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 8.72 грн |
| 56+ | 5.50 грн |
| 64+ | 4.83 грн |
| 100+ | 3.81 грн |
| 250+ | 3.47 грн |
| 500+ | 3.27 грн |
| 1000+ | 3.05 грн |
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Технічний опис PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 380mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm.
Інші пропозиції PMH1200UPEH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PMH1200UPEH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 380mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PMH1200UPEH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 380mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm |
на замовлення 1884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMH1200UPEH |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 380mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMH1200UPEH |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)