PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 8.54 грн |
| 56+ | 5.38 грн |
| 64+ | 4.73 грн |
| 100+ | 3.73 грн |
| 250+ | 3.40 грн |
| 500+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
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Технічний опис PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMH1200UPEH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PMH1200UPEH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
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PMH1200UPEH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMH1200UPEH |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 520mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMH1200UPEH |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Produktpalette: -
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



