PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 3.61 грн |
| 30000+ | 3.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 520mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMH1200UPEH за ціною від 2.79 грн до 24.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMH1200UPEH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMH1200UPEH | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT8001 P CHAN 30V |
на замовлення 29964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMH1200UPEH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH1200UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 520 mA, 1.3 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 520mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMH1200UPEH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V |
на замовлення 30098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMH1200UPEH | Виробник : NEXPERIA |
30 V, P-channel Trench MOSFET |
товару немає в наявності |