Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMH1200UPEH
PMH1200UPEH

PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.

PMH1200UPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
на замовлення 1203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+8.54 грн
56+5.38 грн
64+4.73 грн
100+3.73 грн
250+3.40 грн
500+3.20 грн
1000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMH1200UPEH Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN0606-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V.

Інші пропозиції PMH1200UPEH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMH1200UPEH PMH1200UPEH Nexperia USA Inc. PMH1200UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH1200UPEH PMH1200UPEH Nexperia PMH1200UPE.pdf MOSFETs SOT8001 P-CH 30V .52A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH1200UPEH PMH1200UPE.pdf
PMH1200UPEH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 520mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 410mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH1200UPEH PMH1200UPE.pdf
PMH1200UPEH
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8001 P-CH 30V .52A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.