PMH260UNEH Nexperia USA Inc.


PMH260UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 700mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+4.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMH260UNEH Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: DFN0606-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.23W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 700mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMH260UNEH

Фото Назва Виробник Інформація Доступність _PRICE_WITHOUT_VAT
PMH260UNEH PMH260UNEH Nexperia PMH260UNE.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 18720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+16.83 грн
30+10.88 грн
100+5.18 грн
500+4.49 грн
1000+4.00 грн
5000+3.73 грн
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH260UNEH PMH260UNEH Nexperia USA Inc. PMH260UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 700mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 10 V
на замовлення 11805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.46 грн
500+5.86 грн
1000+5.19 грн
2000+4.63 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH260UNEH PMH260UNE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 18720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.83 грн
30+10.88 грн
100+5.18 грн
500+4.49 грн
1000+4.00 грн
5000+3.73 грн
10000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH260UNEH PMH260UNE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 700mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 10 V
на замовлення 11805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.52 грн
23+13.54 грн
100+8.46 грн
500+5.86 грн
1000+5.19 грн
2000+4.63 грн
5000+3.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.