PMH550UNEAH NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.34 грн |
| 500+ | 7.62 грн |
| 1000+ | 5.10 грн |
| 5000+ | 3.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMH550UNEAH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 770mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMH550UNEAH за ціною від 3.87 грн до 29.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMH550UNEAH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PMH550UNEAH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PMH550UNEA/SOT8001/DFN0606-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 770mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PMH550UNEAH | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET |
товару немає в наявності |