PMH550UNEAH NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 770mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Технічний опис PMH550UNEAH NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 770mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMH550UNEAH
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PMH550UNEAH | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMH550UNEAH |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMH550UNEAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.67 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)