PMH550UNEH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 770mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMH550UNEH Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMH550UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.55 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 770mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 380mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.
Інші пропозиції PMH550UNEH за ціною від 2.94 грн до 31.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMH550UNEH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH550UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.55 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 380mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMH550UNEH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 770MA DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 770mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 770mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V |
на замовлення 35975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMH550UNEH | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMH550UNE/SOT8001/DFN0606-3 |
на замовлення 24950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PMH550UNEH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMH550UNEH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 770 mA, 0.55 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 770mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PMH550UNEH | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.77A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| PMH550UNEH | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.77A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |