Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMH850UPEH
PMH850UPEH

PMH850UPEH Nexperia USA Inc.

PMH850UPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 2.23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62.2 pF @ 15 V
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.23 грн
27+11.23 грн
100+7.51 грн
500+5.41 грн
1000+4.86 грн
2000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 19 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMH850UPEH Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMH850UPEH за ціною від 3.64 грн до 23.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PMH850UPEH PMH850UPEH Nexperia PMH850UPE.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 246 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
14+23.82 грн
22+14.51 грн
100+8.02 грн
500+5.86 грн
1000+5.35 грн
10000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH850UPEH PMH850UPEH NEXPERIA PMH850UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH850UPEH PMH850UPEH NEXPERIA PMH850UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH850UPEH PMH850UPE.pdf
PMH850UPEH
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 246 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+23.82 грн
22+14.51 грн
100+8.02 грн
500+5.86 грн
1000+5.35 грн
10000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH850UPEH PMH850UPE.pdf
PMH850UPEH
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH850UPEH PMH850UPE.pdf
PMH850UPEH
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMH850UPEH - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 600 mA, 0.85 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: DFN0606
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.