Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMH950UPEH
PMH950UPEH

PMH950UPEH Nexperia USA Inc.

PMH950UPE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.92 грн
20000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMH950UPEH Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN0606-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMH950UPEH за ціною від 2.92 грн до 10.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMH950UPEH PMH950UPEH Виробник : Nexperia PMH950UPE.pdf MOSFETs SOT8001 P CHAN 20V
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
38+9.67 грн
61+5.82 грн
100+3.84 грн
500+3.68 грн
1000+3.45 грн
2500+3.22 грн
10000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
PMH950UPEH PMH950UPEH Виробник : Nexperia USA Inc. PMH950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
на замовлення 40634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.79 грн
45+7.11 грн
56+5.72 грн
100+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
PMH950UPEH Виробник : NEXPERIA pmh950upe.pdf 20 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMH950UPEH Виробник : NEXPERIA PMH950UPE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -360mA; Idm: -2A; ESD
Technology: Trench
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -2A
Drain current: -360mA
Gate charge: 0.5nC
On-state resistance: 2.3Ω
Gate-source voltage: ±8V
Polarisation: unipolar
Case: DFN0606-3; SOT8001
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.