PMH950UPEH Nexperia USA Inc.


PMH950UPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10000+3.71 грн
20000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMH950UPEH Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: DFN0606-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 3-XFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PMH950UPEH за ціною від 2.65 грн до 10.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
PMH950UPEH PMH950UPEH Nexperia PMH950UPE.pdf MOSFETs SOT8001 P CHAN 20V
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+8.80 грн
61+5.30 грн
100+3.49 грн
500+3.35 грн
1000+3.14 грн
2500+2.93 грн
10000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH950UPEH PMH950UPEH Nexperia USA Inc. PMH950UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.21 грн
45+6.73 грн
56+5.42 грн
100+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH950UPEH PMH950UPE.pdf
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8001 P CHAN 20V
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
38+8.80 грн
61+5.30 грн
100+3.49 грн
500+3.35 грн
1000+3.14 грн
2500+2.93 грн
10000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMH950UPEH PMH950UPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN0606-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), 2.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 40634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
31+10.21 грн
45+6.73 грн
56+5.42 грн
100+4.69 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.