PMK50XP,518 NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 20 V
на замовлення 47920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2714+ | 7.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMK50XP,518 NXP Semiconductors
Description: NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0., Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.8A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 20 V.
Інші пропозиції PMK50XP,518
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMK50XP,518 | Виробник : Nexperia |
MOSFET MOSFET P-CH FET 20V 7.9A |
на замовлення 4278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| PMK50XP,518 |
|
на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |