на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMMT591A,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMMT591A,215 за ціною від 4.03 грн до 39.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMMT591A,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: TRANS PNP 40V 1A TO-236ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMMT591A,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMMT591A,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 469268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMMT591A,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 233300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMMT591A,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMMT591A,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 40V 1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 6675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMMT591A,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PNP BISS transistor |
на замовлення 8179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMMT591A,215 | Виробник : NEXPERIA |
PMMT591A.215 PNP SMD transistors |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PMMT591A,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMMT591A,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 40V 1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |