PMN100EPAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 8.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN100EPAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMN100EPAX за ціною від 8.33 грн до 37.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN100EPAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN100EPAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN100EPAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.1 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN100EPAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.5A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 616 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN100EPAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 60 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 42188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN100EPAX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.5A Automotive 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PMN100EPAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -10A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 276mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMN100EPAX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; Idm: -10A Type of transistor: P-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -10A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 276mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |