Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMN120ENEAX
PMN120ENEAX

PMN120ENEAX Nexperia USA Inc.

PMN120ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.44 грн
6000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN120ENEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMN120ENEAX за ціною від 6.32 грн до 23.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMN120ENEAX PMN120ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN120ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 196 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
16+ 17.85 грн
100+ 10.7 грн
500+ 9.3 грн
1000+ 6.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
PMN120ENEAX PMN120ENEAX Виробник : NEXPERIA pmn120enea.pdf P-Channel Trench MOSFET
товар відсутній