Продукція > NEXPERIA > PMN120ENEX

PMN120ENEX Nexperia

Виробник: Nexperia
MOSFET PMN120ENE SC-74

на замовлення 2253 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMN120ENEX Nexperia

Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V.

Інші пропозиції PMN120ENEX

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PMN120ENEX	Виробник : NEXPERIA	PMN120ENEX SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMN120ENEX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMN120ENEX	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET N-CH 60V 3.1A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 30 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.