PMN16XNEX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.44 грн |
| 6000+ | 6.02 грн |
| 9000+ | 5.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN16XNEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN16XNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.015 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 550mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMN16XNEX за ціною від 5.52 грн до 35.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN16XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN16XNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.015 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN16XNEX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMN16XNE/SOT457/SC-74 |
на замовлення 11530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN16XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN16XNEX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 20 V, 6.9 A, 0.015 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 550mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN16XNEX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.9A, 4.5V Power Dissipation (Max): 550mW (Ta), 6.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1136 pF @ 10 V |
на замовлення 11370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PMN16XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.4A; Idm: 28A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 28A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PMN16XNEX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 20V; 4.4A; Idm: 28A Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 28A Case: SC74; SOT457; TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |