Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMN20ENAX
PMN20ENAX

PMN20ENAX Nexperia USA Inc.

PMN20ENA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN20ENAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMN20ENAX за ціною від 10.56 грн до 54.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMN20ENAX PMN20ENAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN20ENA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 6.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.91 грн
10+33.03 грн
100+21.27 грн
500+15.21 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PMN20ENAX Виробник : NEXPERIA pmn20ena.pdf 40 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMN20ENAX Виробник : NEXPERIA PMN20ENA.pdf Description: NEXPERIA - PMN20ENAX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PMN20ENAX Виробник : NEXPERIA PMN20ENA.pdf PMN20ENAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.