Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMN230ENEAX
PMN230ENEAX

PMN230ENEAX Nexperia USA Inc.

PMN230ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.39 грн
6000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN230ENEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMN230ENEAX за ціною від 3.82 грн до 31.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMN230ENEAX PMN230ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN230ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
24+13.07 грн
100+8.76 грн
500+6.33 грн
1000+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
PMN230ENEAX PMN230ENEAX Виробник : Nexperia PMN230ENEA-2938814.pdf MOSFETs PMN230ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.08 грн
19+18.57 грн
100+7.56 грн
1000+6.53 грн
3000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMN230ENEAX PMN230ENEAX Виробник : NEXPERIA pmn230enea.pdf 60 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN230ENEAX Виробник : NEXPERIA PMN230ENEA.pdf PMN230ENEAX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.