PMN230ENEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.84 грн |
| 16+ | 19.07 грн |
| 50+ | 13.73 грн |
| 100+ | 11.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN230ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 1.8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 222mOhm @ 1.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 625mW (Ta), 5.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PMN230ENEAX
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN230ENEAX | Nexperia |
MOSFETs SOT457 N-CH 60V 1.8A |
на замовлення 3843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PMN230ENEAX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT457 N-CH 60V 1.8A
MOSFETs SOT457 N-CH 60V 1.8A
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)