| Кількість | Ціна без ПДВ |
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| 11+ | 31.41 грн |
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Технічний опис PMN230ENEX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 475mW, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm.
Інші пропозиції PMN230ENEX за ціною від 8.01 грн до 40.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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PMN230ENEX | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 475mW SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm |
на замовлення 1084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| PMN230ENEX |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm
Description: NEXPERIA - PMN230ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.176 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 475mW
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.176ohm
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 40.75 грн |
| 27+ | 30.36 грн |
| 100+ | 17.40 грн |
| 500+ | 10.25 грн |
| 1000+ | 8.01 грн |