Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMN25ENEAX
PMN25ENEAX

PMN25ENEAX Nexperia USA Inc.

PMN25ENEA.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN25ENEAX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції PMN25ENEAX за ціною від 9.46 грн до 32.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMN25ENEAX PMN25ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN25ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.66 грн
15+21.15 грн
100+14.30 грн
500+10.45 грн
1000+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMN25ENEAX PMN25ENEAX Виробник : NEXPERIA pmn25enea.pdf 30 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN25ENEAX PMN25ENEAX Виробник : Nexperia PMN25ENEA-1599969.pdf MOSFET 30V N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.