PMN25ENEX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN25ENEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 560mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PMN25ENEX за ціною від 8.97 грн до 86.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN25ENEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 560mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMN25ENEX | Nexperia |
MOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMN25ENEX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Cut Tape (CT) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMN25ENEX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 560mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm |
на замовлення 12118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PMN25ENEX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 28.27 грн |
| 500+ | 19.97 грн |
| 1000+ | 16.57 грн |
| 5000+ | 16.22 грн |
| PMN25ENEX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET
MOSFETs 100 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.12 грн |
| 13+ | 26.44 грн |
| 100+ | 19.81 грн |
| 500+ | 18.71 грн |
| 1000+ | 16.22 грн |
| 3000+ | 8.97 грн |
| PMN25ENEX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
Description: MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 597 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.81 грн |
| 10+ | 31.56 грн |
| 50+ | 23.06 грн |
| 100+ | 19.04 грн |
| PMN25ENEX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
Description: NEXPERIA - PMN25ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.017 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
на замовлення 12118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 86.98 грн |
| 14+ | 59.84 грн |
| 100+ | 37.93 грн |
| 500+ | 21.84 грн |
| 1000+ | 14.98 грн |
| 5000+ | 14.70 грн |