PMN280ENEAX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN280ENEAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PMN280ENEAX за ціною від 5.82 грн до 34.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN280ENEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PMN280ENEA/SOT457/SC-74 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PMN280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMN280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PMN280ENEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| PMN280ENEAX | Виробник : NEXPERIA |
100 V, N-channel Trench MOSFET |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
PMN280ENEAX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |