PMN280ENEAX

PMN280ENEAX Nexperia


pmn280enea.pdf Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN280ENEAX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm.

Інші пропозиції PMN280ENEAX за ціною від 4.61 грн до 30.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PMN280ENEAX PMN280ENEAX Виробник : Nexperia pmn280enea.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000
PMN280ENEAX PMN280ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN280ENEAX PMN280ENEAX Виробник : Nexperia PMN280ENEA-1588544.pdf MOSFET PMN280ENEA/SOT457/SC-74
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.24 грн
9000+ 6.68 грн
24000+ 5.74 грн
45000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN280ENEAX PMN280ENEAX Виробник : NEXPERIA 2805075.pdf Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.285ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.39 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMN280ENEAX PMN280ENEAX Виробник : NEXPERIA 2805075.pdf Description: NEXPERIA - PMN280ENEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+11.61 грн
74+ 10.19 грн
100+ 8.39 грн
500+ 7.02 грн
1000+ 5.97 грн
Мінімальне замовлення: 65
PMN280ENEAX PMN280ENEAX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN280ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.33 грн
14+ 21.14 грн
100+ 10.67 грн
500+ 8.87 грн
1000+ 6.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMN280ENEAX Виробник : NEXPERIA pmn280enea.pdf 100 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMN280ENEAX PMN280ENEAX Виробник : Nexperia pmn280enea.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній