PMN30UNX

PMN30UNX Nexperia USA Inc.


PMN30UN.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN30UNX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 530mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції PMN30UNX за ціною від 4.70 грн до 32.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMN30UNX PMN30UNX Виробник : NEXPERIA PMN30UN.pdf Description: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.55 грн
500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNX PMN30UNX Виробник : Nexperia PMN30UN-1539713.pdf MOSFET PMN30UN/SOT457/SC-74
на замовлення 7334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.08 грн
16+21.61 грн
100+8.37 грн
1000+6.53 грн
3000+5.43 грн
9000+5.06 грн
24000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNX PMN30UNX Виробник : Nexperia USA Inc. PMN30UN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 3617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.76 грн
17+18.73 грн
100+9.07 грн
500+8.26 грн
1000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNX PMN30UNX Виробник : NEXPERIA PMN30UN.pdf Description: NEXPERIA - PMN30UNX - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.033 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.19 грн
41+20.17 грн
100+9.55 грн
500+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNX PMN30UNX Виробник : NEXPERIA 4385368952420621pmn30un.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNX PMN30UNX Виробник : Nexperia 4385368952420621pmn30un.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN30UNX Виробник : NEXPERIA PMN30UN.pdf PMN30UNX SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.