PMN40XPEAX NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 15.8 грн |
| 500+ | 11.27 грн |
| 1000+ | 7.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN40XPEAX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 660mW, Bauform - Transistor: SC-74, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm.
Інші пропозиції PMN40XPEAX за ціною від 6.68 грн до 35.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN40XPEAX | Виробник : Nexperia |
MOSFET PMN40XPEA/SOT457/SC-74 |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PMN40XPEAX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: SC-74 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 8V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm |
на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMN40XPEAX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|