Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMN50EPEX
PMN50EPEX

PMN50EPEX Nexperia USA Inc.

PMN50EPE.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.29 грн
10+38.17 грн
50+27.98 грн
100+23.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMN50EPEX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.045 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 560mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції PMN50EPEX за ціною від 23.35 грн до 119.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMN50EPEX PMN50EPEX NEXPERIA PMN50EPE.pdf Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.045 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.79 грн
50+81.96 грн
100+56.28 грн
500+34.28 грн
1500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEX PMN50EPE.pdf
PMN50EPEX
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.045 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+119.79 грн
50+81.96 грн
100+56.28 грн
500+34.28 грн
1500+23.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.