Продукція > NEXPERIA > PMN50UPE,115

PMN50UPE,115 Nexperia

Виробник: Nexperia
MOSFET PMN50UPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *

на замовлення 1825 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PMN50UPE,115 Nexperia

Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V.

Інші пропозиції PMN50UPE,115

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
PMN50UPE,115	Виробник : NEXPERIA	Trans MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-Pin TSOP T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMN50UPE,115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
PMN50UPE,115	Виробник : Nexperia USA Inc.	Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 510mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 pF @ 10 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.