PMN52XPX Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMN52XPX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 530mW, Bauform - Transistor: SOT-457, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PMN52XPX за ціною від 8.52 грн до 33.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMN52XPX | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMN52XPX | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMN52XPX | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
PMN52XPX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
PMN52XPX | Nexperia |
MOSFET PMN52XP/SOT457/SC-74 |
на замовлення 14284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
PMN52XPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
PMN52XPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 530mW Bauform - Transistor: SOT-457 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PMN52XPX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.17 грн |
| PMN52XPX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.77 грн |
| 6000+ | 9.46 грн |
| PMN52XPX |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.77 грн |
| 6000+ | 9.46 грн |
| PMN52XPX |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3.7A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.87 грн |
| 14+ | 21.35 грн |
| 100+ | 11.13 грн |
| 500+ | 9.54 грн |
| 1000+ | 8.52 грн |
| PMN52XPX |
|
Виробник: Nexperia
MOSFET PMN52XP/SOT457/SC-74
MOSFET PMN52XP/SOT457/SC-74
на замовлення 14284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PMN52XPX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PMN52XPX |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PMN52XPX - Leistungs-MOSFET, Graben, p-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.05 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)